2020功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇

2020 Symposium on High Power Semiconductor Materials (GaN & SiC) and Devices

學生論文海報競賽

Poster Competition

全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術，由於矽(Si)材料已接近其理論上的性能極限，具寬能隙(Wide Band Gap; WBG)特性之功率半導體材料及元件技術，將成為次世代功率電子產品及應用重要平台。國家中山科學研究院執行政府晶片及半導體產業科技研發專案，進行高功率模組應用之半導體材料及元件製造技術開發，為台灣功率半導體產業注入一股新動能。為推廣國內學術研究單位投入功率半導體材料及高功率模組電力電子應用相關研究，將於2020功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇活動配合舉辦學生論文海報競賽，期能促成我國學研各界交流研討及合作研究。

• 主辦單位：高功率元件應用研發聯盟、國家中山科學研究院、台灣經濟研究院 
• 時間：109年10月28日(三)
• 地點：交通部集思會議中心-國際會議廳(臺北市杭州南路一段24號)
• 報名資格：全國大專院校大學生及碩、博士生(含109學年度畢業)